Vishay采用 PowerPAK 10x12 封裝的 40 V MOSFET

近日，Vishay 推出其新一代 40 V TrenchFET® 四代 N 溝道功率 MOSFET——SiJK140E，該器件采用先進(jìn)的 PowerPAK® 10×12 封裝，在工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景中展現(xiàn)出優(yōu)異的電氣性能。相比同規(guī)格的競(jìng)品，其導(dǎo)通電阻顯著降低達(dá) 32%，相較于傳統(tǒng) TO-263-7L 封裝的 40 V MOSFET，更是大幅下降 58%，有助于系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)更高效率與功率密度。

在 10 V 驅(qū)動(dòng)電壓下，SiJK140E 的典型導(dǎo)通電阻僅為 0.34 mΩ，有效降低了導(dǎo)通損耗，從而提升整體能效。同時(shí)，該器件具備出色的熱管理能力，結(jié)殼熱阻（RthJC）典型值低至 0.21 °C/W，進(jìn)一步增強(qiáng)了系統(tǒng)的散熱性能。得益于更低的導(dǎo)通電阻，工程師可采用單一 SiJK140E 替代以往需并聯(lián)兩顆 MOSFET 的設(shè)計(jì)方案，不僅簡(jiǎn)化了電路結(jié)構(gòu)，還提升了系統(tǒng)可靠性，并有效延長(zhǎng)了平均故障間隔時(shí)間（MTBF）。

該 MOSFET 采用無線鍵合（BWL）結(jié)構(gòu)，大幅降低了寄生電感，提升了電流承載能力。傳統(tǒng)打線鍵合（BW）封裝的 TO-263-7L 器件通常受限于 200 A 電流，而 SiJK140E 能夠支持高達(dá) 795 A 的連續(xù)漏極電流，并具備優(yōu)越的安全工作區(qū)（SOA）性能，為高功率密度設(shè)計(jì)提供了更多可能。此外，PowerPAK 10×12 封裝尺寸僅為 120 mm²，比 TO-263-7L 節(jié)省 27% 的 PCB 面積，封裝厚度也縮減了 50%，更適用于空間緊湊型設(shè)備。

SiJK140E 適用于同步整流、熱插拔控制及 OR-ing 功能等多種場(chǎng)景，可廣泛用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)工具、焊接與等離子切割設(shè)備、電池管理系統(tǒng)、工業(yè)機(jī)器人及 3D 打印機(jī)等工業(yè)與消費(fèi)類產(chǎn)品。為提升系統(tǒng)抗干擾能力，該標(biāo)準(zhǔn)級(jí) MOSFET 設(shè)有 2.4 V 的高柵極閾值電壓，可有效防止共通現(xiàn)象。產(chǎn)品符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，不含鹵素，并已通過 100% Rg 與 UIS 測(cè)試，確保每一顆器件均具備良好的可靠性與一致性。