Vishay Gen 3 650 V和1200 V SiC肖特基二極管

威世科技Vishay近日宣布，其第三代650V與1200V碳化硅肖特基二極管產(chǎn)品線進(jìn)一步擴(kuò)充，新增三款采用超薄型SlimSMA HV（DO-221AC）封裝的器件——包括2A規(guī)格的VS-3C02EJ07-M3、1A的VS-3C01EJ12-M3以及2A的VS-3C02EJ12-M3。該系列產(chǎn)品基于合并PIN肖特基（MPS）技術(shù)構(gòu)建，封裝本體最小爬電距離達(dá)到3.2mm，不僅具備低電容電荷特性，還實(shí)現(xiàn)了幾乎不隨溫度變化的開關(guān)性能，有助于顯著提升高速硬開關(guān)電源架構(gòu)的運(yùn)行效率。

針對(duì)高壓工作環(huán)境，這些新型二極管通過(guò)增大封裝爬電距離強(qiáng)化了電氣絕緣能力，同時(shí)封裝采用CTI 600級(jí)別的模塑材料，進(jìn)一步保障了高絕緣可靠性。在空間敏感型設(shè)計(jì)中，其封裝厚度僅為0.95mm，遠(yuǎn)低于同級(jí)別SMA/SMB封裝器件普遍2.3mm的厚度，為緊湊布局提供了更大靈活性。

與常規(guī)硅基二極管相比，VS-3C01EJ12-M3、VS-3C02EJ07-M3和VS-3C02EJ12-M3在全溫度范圍內(nèi)可將容性電荷穩(wěn)定控制在7.2nC的低水平，有助于實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)速率、降低動(dòng)態(tài)損耗，從而優(yōu)化高頻電路能效。此外，該系列器件幾乎不存在反向恢復(fù)電流拖尾現(xiàn)象，結(jié)合MPS技術(shù)將正向壓降降至1.30V，進(jìn)一步提升了整體能效表現(xiàn)。

該系列二極管支持最高+175℃工作結(jié)溫，主要面向服務(wù)器電源模塊中的DC/DC與AC/DC變換電路，適用于自舉二極管、阻斷二極管及PFC二極管等角色，同時(shí)也廣泛適用于發(fā)電與儲(chǔ)能系統(tǒng)、工業(yè)驅(qū)動(dòng)裝置、電動(dòng)工具以及X射線發(fā)生設(shè)備。得益于其正溫度系數(shù)特性，這些器件在多管并聯(lián)應(yīng)用時(shí)能夠?qū)崿F(xiàn)良好的電流均流效果。

該系列產(chǎn)品符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，不含鹵素，濕度敏感度等級(jí)達(dá)到MSL 1，滿足J-STD-020封裝可靠性標(biāo)準(zhǔn)與JESD 201二級(jí)晶須測(cè)試要求，適用于高可靠性應(yīng)用場(chǎng)景。